长鑫4F²架构进展引发存储价格战担忧

长鑫科技近期在4F²垂直沟道DRAM架构上取得关键进展，并计划于年底推出基于该架构的DDR5 RDIMM服务器内存。这一消息在台湾地区市场引发讨论，有观点担忧，大陆产能一旦全面释放，存储行业可能重演电动汽车领域曾出现过的价格破坏战。

财信传媒董事长谢金河11月1日以“长鑫挥一拳，内存全趴下”为题发文，提及市场对大陆产能开出的忧虑。他还用“犀牛撞进瓷器店”形容长鑫此次技术推进可能带来的冲击。

4F²架构受到关注，原因在于它调整的是存储单元本身，而非制程节点。当前主流6F²架构的单元面积为3F×2F，4F²架构压缩至2F×2F，理论面积缩减约三分之一，同一片晶圆上的裸片数可提升20%至30%。代价是晶体管须从水平结构转为垂直沟道，工艺复杂度明显上升。长鑫选择的路径比跟随三星更为激进：在平面微缩接近极限的节点上，直接重构晶体管结构。

美光则给出不同判断。美光总裁Scott DeBoer明确表示，美光研究4F²已超过二十年，认定该路线缺乏可量产的规模化路径，公司将坚守6F²并转向3D DRAM。长鑫在4F²上抢先推进，美光选择跳过该路线，存储行业在平面微缩的终点前首次出现清晰的技术分野。

在资本市场和业内看来，这场技术路线分野正被放大为潜在的产能与价格冲击。价格战是否真的爆发，最终取决于长鑫4F² DDR5 RDIMM的送样验证和良率爬坡速度，而非架构本身有多先进。但预期往往比现实跑得更快，市场已经提前按“大陆要杀价”的剧本开始定价。