长鑫科技第六代DRAM完成工程样片验证 回应美光不做4F²

长鑫科技在第三季度财报发布后举行的业绩交流会上披露，公司在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。

按照产业实践，工程样片验证完成，意味着该平台的核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期。在客户端完成验证后，该平台可进入规模量产阶段。

此前，长鑫曾在学术论坛上介绍过4F²架构。与当前主流的6F²架构相比，4F²方案可在同等面积下集成更多晶体管，有望缓解DRAM先进工艺持续微缩所遇到的瓶颈。不过该技术路线公布后，在存储行业内部也引发了争议。

本月早些时候，美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer（斯科特·德波尔）表示，美光将沿着6F²路径推进并开发3D DRAM，不做4F²，理由是复杂度与成本上升。他透露，美光研究4F²已有20年，认为这一方向没有可行的微缩路径和实际收益。在他看来，决定DRAM位密度理论上限的核心是电容间距、电容尺寸等参数，优化重心应当围绕电容间距展开。

针对上述观点以及海外厂商放弃4F²路线的选择，长鑫科技在交流会上作出回应。公司表示，从物理规律看，DRAM位密度提升是一个复杂的系统工程，涉及字线、位线以及电容结构的多重空间博弈。

长鑫科技称，相关说法反映了行业在先进制程微缩阶段所面临的普遍物理挑战。在特定技术节点下，不同架构在工艺集成复杂度、光刻次数以及热预算等方面，呈现出不同的成本效益曲线。不同存储厂商基于自身历史技术积累、现有产线配置、专利布局及资本开支结构，往往会做出差异化的战略选择，值得理解和尊重。

就4F²新技术带来的效益，长鑫科技也坦言，前瞻技术及新产品不会在短期内全部转化为当期利润，更多是构筑中长期竞争力。