欧盟批准3.19亿欧元补贴 英飞凌将在奥地利建首座300mm氮化镓量产线

欧盟委员会近日批准向英飞凌提供3.19亿欧元国家补贴，约合人民币23.86亿元，用于在奥地利菲拉赫工厂建设全球首座300mm氮化镓功率半导体大规模量产线。该项目总投资约11亿欧元，约合人民币82.27亿元，计划在2027年底前产出首批产品。

氮化镓被视作硅在功率电子领域的替代方案。与传统硅器件相比，氮化镓功率晶体管可在更高开关频率下以更低损耗运行，使电源与电压转换器更紧凑、更高效。在AI算力功耗持续攀升的背景下，这一特性正变得关键。

晶圆尺寸升级是降本的关键环节。此前氮化镓功率半导体主要在200mm晶圆上制造，英飞凌于2024年率先跑通300mm氮化镓晶圆加工。300mm晶圆面积是200mm的2.25倍，单片可产出芯片数量约达2.3倍，单位芯片成本有望明显下降。

从技术迁移到量产并不容易。英飞凌计划利用菲拉赫现有洁净室空间和基础设施进行改造，而非新建厂房。更大的晶圆面积本身并不自动带来低成本，晶体质量、缺陷密度与工艺均匀性才是新材料量产的核心门槛。

AI数据中心是这套产能的首要落点。英飞凌CEO哈内贝克明确表示，300mm大规模量产将扩大氮化镓在功率电子中的使用范围。该公司同时正在为英伟达800V AI数据中心架构开发氮化镓功率转换方案；当机架功耗向兆瓦级迈进时，供电效率直接决定算力上限。

从200mm到300mm，氮化镓功率半导体首次走出实验室规模，进入工业量产轨道。欧盟以3.19亿欧元补贴支持的，不只是一条产线，还涉及AI时代电力转换效率的底层话语权。

常见问题

英飞凌在奥地利要建的是什么工厂？

欧盟委员会近日正式批准向英飞凌提供3.19亿欧元（约合人民币23.86亿元）国家补贴，用于在奥地利菲拉赫工厂建设全球首座300mm氮化镓功率半导体大规模量产线。该项目总投资约11亿欧元（约合人民币82.27亿元），计划2027年底前产出首批产品。

这条产线并不新建厂房，而是利用菲拉赫现有的洁净室空间和基础设施进行改造。氮化镓（GaN）被视为硅在功率电子领域的替代方案，相比传统硅器件，GaN功率晶体管能在更高开关频率下以更低损耗运行，使电源和电压转换器做得更紧凑、更高效。

晶圆从200mm换成300mm有什么好处？

核心好处是单片能产出的芯片更多、单位成本有望下降。此前GaN功率半导体主要在200mm晶圆上制造，英飞凌在2024年率先跑通了300mm GaN晶圆加工；300mm晶圆面积是200mm的2.25倍，单片可产出的芯片数量达到约2.3倍。

不过更大的晶圆面积本身不自动保证低成本。英飞凌把技术迁移到量产并不轻松，晶体质量、缺陷密度和工艺均匀性才是新材料量产的核心门槛。

这条氮化镓产线的产能主要用在哪里？

首要落点是AI数据中心。英飞凌CEO哈内贝克明确表示，300mm大规模量产将扩大GaN在功率电子中的使用范围。在AI算力功耗持续攀升的背景下，GaN高效率、低损耗的特性正变得至关重要。

该公司同时正在为英伟达800V AI数据中心架构开发GaN功率转换方案。当机架功耗向兆瓦级迈进时，供电效率直接决定算力上限。