国内首款12英寸多晶碳化硅衬底在长沙发布

湖南泰坦未来科技有限公司本月发布消息，推出国内首款12英寸多晶碳化硅衬底，面向AI芯片与先进封装的散热环节。据IT之家查询公开资料，12英寸多晶碳化硅（SiC）衬底是一种直径约300毫米的陶瓷基板，由大量微小碳化硅晶粒构成。

该类基板主要用作先进封装与高温半导体工艺中的高导热支撑和散热基底，作用是把AI芯片等高功率器件产生的热量快速导出。该公司在新闻稿中称，半导体碳化硅赛道当前的市场关注多集中于单晶SiC衬底，多晶碳化硅配套材料则属于行业蓝海与隐形刚需。

公司方面表示，高端多晶材料长期依赖外部供应，是制约国内产线扩产的关键痛点，大尺寸致密化、高纯度制备与热性能匹配是亟待攻克的核心技术瓶颈。此次产品由团队历时两年多完成全流程原创攻关，期间损耗两台气相沉积炉，并解决了材料致密化、大尺寸成型、应力调控等难题。

关键性能方面，该衬底沉积速度达每小时60微米，国内外同行水平为10至20微米；最低电阻率小于1毫欧·厘米，国外同行约为10毫欧·厘米；孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个，有助于提升芯片良率。产品热导率达到300W/(m·K)以上，并实现零长裂纹、微裂纹。

应用层面，该产品面向AI芯片先进封装散热基板与复合衬底、刻蚀核心部件两类场景。公司称，其导热系数为传统AIN/Cu方案的2至3倍，多晶碳化硅复合衬底较行业现有技术节约近20%的成本；刻蚀环部件可将客户加工良率提升60%。

据披露，该产品已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。项目目前处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计2027年后逐步规模化供货。

该公司于2026年投资新建高纯高致密碳化硅部件及多晶衬底产业基地项目，全面投产后可年产20万片半导体用高性能碳化硅、碳化钽涂层产品。

常见问题

这款12英寸多晶碳化硅衬底是做什么用的？

它主要用作高导热的支撑与散热基底，帮助AI芯片等高功率器件把热量快速导出。据湖南泰坦未来科技有限公司发布的新闻稿，这是国内首款12英寸多晶碳化硅（SiC）衬底，瞄准的正是AI芯片与先进封装的散热瓶颈。

从形态上看，12英寸多晶碳化硅衬底是一种直径约300毫米、由许多微小碳化硅晶粒构成的大尺寸陶瓷基板，主要用在先进封装和高温半导体工艺中。公司方面表示，当前市场目光大多聚焦单晶SiC衬底，而多晶碳化硅配套材料属于行业蓝海与隐形刚需。

这款衬底在性能上有哪些突破？

关键指标上，该衬底沉积速度达每小时60微米，明显高于国内外同行10至20微米的水平；最低电阻率可小于1毫欧·厘米，优于国外同行约10毫欧·厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米0.1个，有助于提升芯片良率。

公司称，产品依托气相沉积、超临界多相法TaC涂层等自研核心技术，实现≥300W/(m·K)超高热导率，并做到零长裂纹、微裂纹和极低孔洞缺陷。该产品由团队历经两年多全流程原创攻关制成，期间曾损耗两台气相沉积炉，攻克了材料致密化、大尺寸成型、应力调控等技术难题。

这款产品现在量产了吗？都在跟哪些企业对接？

目前还未大规模量产。该产品已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作，项目正处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计2027年后逐步规模化供货。

产能方面，公司于2026年投资新建高纯高致密碳化硅部件及多晶衬底产业基地项目，全面投产后可年产20万片半导体用高性能碳化硅、碳化钽涂层产品。在应用端，公司称其多晶碳化硅复合衬底比行业现有技术节约近20%的成本，刻蚀环部件可将客户加工良率提升60%。