美光跳过4F²直攻3D DRAM，三星与长鑫先押4F²

美光明确将4F²技术排除在路线图之外，转而继续投入6F²架构与下一代3D DRAM。而三星、SK海力士与长鑫存储此前均已公开在4F²上落子，三大阵营与美光由此走向两条不同的技术路径。

据快科技10月27日消息，美光总裁兼首席技术及产品官斯科特·德博尔近日在接受媒体采访时表态，公司评估4F²技术已超过20年，最终判断它“不在路线图上”。这意味着美光不打算经过4F²这一节点，而是直接向3D DRAM推进。

就在美光表态前十余天，长鑫存储总裁曹堪宇宣布，将于年底推出采用4F²架构加VSG晶体管的服务器DDR5 RDIMM。三星DS部门CTO宋在爀在SEDEX 2026上被问及是否开发4F²时，回答“是的”。SK海力士则已于2025年VLSI上由CTO发布4F²垂直栅平台与3D DRAM路线图。

主流阵营将4F²视为关键节点，原因在于它被普遍看作通往3D DRAM的“必经台阶”。垂直沟道晶体管、存储阵列与外围电路分离、晶圆级混合键合这几项3D DRAM的底座技术，需要在4F²阶段先行打牢。

美光选择跳过4F²，本质是在押注一条更短的路径。这条路径能否走通尚无定论，资本市场已先行给出反应。财报显示，美光2026财年第四季度营收542.3亿美元，毛利率87%，均创历史新高；但股价自6月25日1213.56美元的高点持续回落，较高点回撤约23%。市场给出的理由之一，是中国厂商在服务器DRAM上的进展重新引发了对定价与竞争的担忧。

美光在EUV上曾有过“先否定、后跟进”的记录。2020年前后，公司公开表示没有EUV计划，随后向ASML支付预付款，最终成为三大原厂中最晚导入EUV的一家。

此次对4F²说“不”，是技术判断的终局，还是又一次路径修正的前奏，尚待时间给出答案。

常见问题

美光这次在存储技术上做了什么决定？

美光总裁兼首席技术及产品官斯科特·德博尔近日接受媒体采访时明确表态，评估4F²技术超过20年后，美光认为它“不在路线图上”，公司将继续押注6F²架构与下一代3D DRAM。也就是说，美光选择跳过4F²这一节点，直接攻向3D DRAM。

这与另外三家的动作形成对比：就在美光说“不”的前十余天，长鑫存储总裁曹堪宇宣布年底推出4F²架构加VSG晶体管的服务器DDR5 RDIMM；三星DS部门CTO宋在爀在SEDEX 2026上被问及是否开发4F²时回答“是的”；SK海力士已在2025年VLSI上由CTO亲自发布4F²垂直栅平台与3D DRAM路线图。

为什么4F²被看作绕不开的一步？

4F²之所以被主流阵营视为关键节点，是因为它被普遍认为是通往3D DRAM的“必经台阶”。垂直沟道晶体管、存储阵列与外围电路分离、晶圆级混合键合，这几项3D DRAM的底座技术，恰恰要在4F²阶段先打牢。

美光想跳过4F²直扑3D DRAM，本质是在赌一条更短的路径。但这条更短的路径能否走通尚无定论，资本市场已经先给出了反应。

美光业绩创新高，股价为何还在跌？

美光2026财年第四季度营收542.3亿美元，毛利率87%，均创历史新高。但股价自6月25日1213.56美元高点持续回落，较高点回撤约23%，基本面与股价出现撕裂。

市场给出的理由中，中国厂商在服务器DRAM上的进展重新点燃了定价与竞争担忧。此外，美光在EUV上曾有过“先否定、后跟进”的记录：2020年前后公开表示没有EUV计划，随后却向ASML支付预付款，最终成为三大原厂中最晚导入EUV的一家。