韩媒称三星与SK海力士拟2027年二季度量产8Hi HBM4

据IT之家10月26日援引韩媒ZDNET Korea当天报道，三星电子与SK海力士两家DRAM制造商计划在2027年第2季度实现八层堆叠（8Hi）HBM4内存堆栈的全面量产，并向英伟达出货。

目前，三星电子和SK海力士产出的HBM4内存以容量更大的12Hi版本为主。报道指出，单一堆栈包含更多DRAM Die，在同等带宽下成本更高、可用堆栈数量更少；同时，堆叠层数越高，良率也随之下滑。

报道称，英伟达在2026年第3季度已就8Hi HBM供应事宜与两家原厂进行了认真讨论。此番计划变更的主要原因，是英伟达考虑在Rubin Ultra和标准Rubin中应用8Hi HBM4（E），以优化整体供应。

IT之家注意到，英伟达已将HGX Vera Rubin NVL8和HGX Rubin NVL8的规格调整为系统合计2TB HBM4，这一容量应对应8Hi 32GB的HBM4堆栈。