三星和SK海力士推进中国工厂NAND升级，计划生产286层芯片

一边是美国商务部明言“不打算向外国芯片制造商授权，批准他们对其在华工厂进行技术升级、扩大产能”，一边是中国对手长鑫存储（YMTC）步步蚕食市场份额——进退两难之下，三星电子和SK海力士最终选择了一条冒险的路：在华盛顿的眼皮底下，悄悄升级各自的中国工厂，生产更先进的存储芯片。

据知情人士向路透社透露，两家韩国巨头正在将中国工厂的产品推向更高层数的NAND闪存，三星西安工厂内部甚至有一个名为“Monami”（法语“我的朋友”）的秘密项目。消息公布后，两家公司股价周三双双大涨6%。

美国红线之下，“Monami”秘密启动

三星在西安的工厂承担着全球约四成的NAND产能，目前主要生产约200层芯片。而根据“Monami”计划，这座工厂将被改造为生产286层V9 NAND芯片——目标是今年12月实现月产5000片芯片，到2027年12月猛增至4万片。

知情人士透露，SK海力士也在将其大连工厂（2021年收购自英特尔NAND业务）从192层产品切换到240层以上。

真正的问题在于：自2022年美国实施出口管制以来，两家公司在华安装美国制造的蚀刻机等设备，每年都必须申请许可证。更微妙的是，美国商务部工业与安全局（BIS）2025年曾明确表示：可以批准维持现有工厂运转的许可，但不打算批准在华扩产或技术升级。

一年一请：被“许可证”卡住的巨头

“在中国工厂投多少钱”，过去三年一直是压在两大韩厂心头的一道难题。管制带来的直接后果是：工厂无法及时改造，市场份额被快速追赶的中国对手夺走。

但两家公司均坚称合规。三星在声明中表示，升级“完全符合美国出口法规”，目的是满足包括美国客户在内的全球需求，“并未扩产或新建厂房”；SK海力士则表示一直在与美国政府协商。BIS拒绝直接回应对两家韩厂审批进展的询问，仅以2025年那份声明作为答复。

升级到底拿到了多少许可？路透社未能确认。这成了整件事最大的悬念。

对手不等人：长鑫份额反超三星

地缘政治僵局，给了中国竞争对手绝佳的窗口期。调研机构Omdia数据显示，2025年第二季度，长鑫存储已占据中国NAND市场38.5%的份额——一年前这一数字还是28%——正式反超三星（份额从36%滑落至33.5%）。SK海力士也从20%跌至17%。

长鑫的产品目前以160层和232层为主，但已小批量生产294层芯片，并计划迈向300层以上。而两家韩厂的“护身符”是：它们在韩国本土已量产更尖端的产品——三星在韩国销售最高286层NAND，8月还公布了400层以上原型；SK海力士则已量产321层产品。

SK海力士的算盘似乎不止于大连。消息人士称，SK海力士希望在中国大连工厂生产240层及以上层数的芯片。事实上，SK海力士正在与特朗普政府洽谈在美国新建NAND工厂。路透社披露，SK海力士旗下美国存储子公司Solidigm已启动赴美IPO筹备，正与多家投行进行承销商竞标，目标估值最高约1500亿美元、募资约150亿美元。

左手稳住中国产能，右手押注美国制造——两家韩厂在中美之间走钢丝的姿态，已昭然若揭。

事件尚未落幕：许可证批了多少？“Monami”能否如期在12月产出？华盛顿接下来会点头还是翻脸？这场三方博弈，才刚刚开局。